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电工与电子技术第18次作业

电工与电子技术第18次作业。

相关图书：《电工与电子技术》-北京师范大学出版社-刘陆平、肖祖铭-ISBN9787303280391

印次：2023年7月第 1 次

单选​

答题设置

1. 在本征半导体中，自由电子和空穴的数量关系是？
A自由电子数量大于空穴数量
B自由电子数量小于空穴数量
C自由电子数量等于空穴数量
D自由电子和空穴数量无法确定
2. 下列哪种材料在掺杂后可形成 N 型半导体？
A硅
B砷化镓
C磷
D硼
3. 下列哪种材料在掺杂后可形成 P 型半导体？
A硅
B砷化镓
C磷
D硼

多选​

答题设置

4. 掺杂半导体中，哪些因素会影响其导电性能？
A掺杂浓度
B温度
C光照强度
D杂质类型
5. 关于本征半导体，下列说法正确的有？
A本征半导体中自由电子和空穴数量相等
B本征半导体的导电能力随温度升高而增强
C本征半导体中不存在杂质
D本征半导体的导电能力随温度升高而减弱
6. 关于掺杂半导体的特性，下列说法正确的有？
A掺杂半导体的导电性能随掺杂浓度增加而提高
B掺杂半导体的导电性能不受温度影响
C掺杂半导体的导电性能随温度升高而增强
D掺杂半导体的导电性能随温度升高而减弱
7. N 型半导体中的多数载流子是空穴。
A对
B错
8. 掺杂半导体的导电性能只取决于掺杂浓度。
A对
B错

填空​

答题设置

9. 在 P 型半导体中，（1）是少数载流子，而（2）是多数载流子。
10. 在 N 型半导体中，（1）是多数载流子，而（2）是少数载流子。