电工与电子技术第21次作业

电工与电子技术第21次作业。

相关图书：《电工与电子技术》-北京师范大学出版社-刘陆平、肖祖铭-ISBN9787303280391

印次：2023年7月第 1 次

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1. N 型半导体中的多子是

A电子

B空穴

C正离子

D负离子

2. P 型半导体中的多子是

A电子

B空穴

C正离子

D负离子

3. 在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于

A掺杂工艺

B杂质浓度

C晶体缺陷

D温度

4. 在杂质半导体中，少数载流子的浓度主要取决于

A温度

B掺杂工艺

C杂质浓度

D晶体缺陷

5. 在本征半导体中加入（）元素可形成 N 型半导体。

A五价

B四价

C三价

D任意

6. 在本征半导体中加入（）元素可形成 P 型半导体。

A五价

B四价

C三价

D任意

判断

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7. P 型半导体带正电，N 型半导体带负电。

A对

B错

8. 在 N 型半导体中，掺入高浓度的三价硼元素可以改型为 P 型半导体。

A对

B错